Южнокорейский технологический гигант Samsung представил план по выпуску твердотельного накопителя рекордной ёмкости — 512 ТБ. Устройство будет использовать новый стандарт PCIe Gen6, обеспечивающий скорость передачи данных до 28 ГБ/с.

Накопитель предназначен для:

• Дата-центров искусственного интеллекта

• Промышленных систем хранения данных

• Научных исследований и рендеринга

Технология основана на 3D-NAND архитектуре 9-го поколения с увеличенной плотностью ячеек. Это в 4 раза превышает ёмкость современных коммерческих SSD.

Ожидается, что массовое производство начнётся в 2027 году. Разработка удовлетворит растущий спрос на системы хранения для нейросетей, метавселенных и потокового контента сверхвысокого разрешения.

Статья носит информационный характер — взято из источника.